| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| SSM6P35FE(TE85L,F) | Toshiba | SOT-563，SOT-666 | 4000 | MOSFET DUAL P-CH 20V .1A ES6 | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| SSM6P36FE(TE85L,F) | Toshiba | SOT-563，SOT-666 | MOSFET DUAL P-CH 20V .33A ES6 | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SSM6P41FE(TE85L,F) | Toshiba | SOT-563，SOT-666 | 7685 | MOSFET DUAL P-CH 20V .72A ES6 | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| SSM6P47NU,LF | Toshiba | 6-WDFN 裸露焊盘 | 6000 | MOSFET P CH 20V 4A 2-2Y1A | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| SSM6P49NU,LF | Toshiba | 6-WDFN 裸露焊盘 | MOSFET P CH 20V 4A 2-1Y1A | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| STC5DNF30V | STMicroelectronics | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET N-CH DUAL 30V 8-TSSOP | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| STC5NF20V | STMicroelectronics | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET 2N-CH 20V 5A 8-TSSOP | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| STC5NF30V | STMicroelectronics | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET 2N-CH 30V 5A 8-TSSOP | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| STC6NF30V | STMicroelectronics | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET 2N-CH 30V 6A 8-TSSOP | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| STL15DN4F5 | STMicroelectronics | 8-PowerVDFN | 3000 | MOSFET N-CH 40V 15A POWERFLAT | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| STL40DN3LLH5 | STMicroelectronics | 8-PowerVDFN | MOSFET 2N-CH 30V 40A POWERFLAT56 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| STL65DN3LLH5 | STMicroelectronics | 8-PowerVDFN | MOSFET N-CH POWERFLAT | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| STL66DN3LLH5 | STMicroelectronics | 8-PowerVDFN | MOSFET N-CH 30V 20A POWERFLAT56 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| STL7DN6LF3 | STMicroelectronics | 8-PowerVDFN | MOSFET N CH 60V 20A 5X6 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| STL8DN10LF3 | STMicroelectronics | 8-PowerVDFN | MOSFET N CH 100V 20A 5X6 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| STL8DN6LF3 | STMicroelectronics | 8-PowerVDFN | MOSFET N CH 60V 20A 5X6 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| STS10DN3LH5 | STMicroelectronics | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 7565 | MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| STS1DN45K3 | STMicroelectronics | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N-CH 450V 0.5A 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| STS1DNC45 | STMicroelectronics | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N-CHAN 450V 0.4A 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| STS1DNF20 | STMicroelectronics | MOSFET N-CH 8SOIC | ... |
