| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| TPC6201(TE85L) | Toshiba | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | MOSFET N-CH 30V 2.5A VS-6 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| TPC6201(TE85L,F) | Toshiba | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | MOSFET N-CH DUAL 30V 2.5A VS-6 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| TPC8207(TE12L) | Toshiba | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET N-CH 20V 6A 8-SOP | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| TPC8207(TE12L,Q) | Toshiba | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET N-CH DUAL 20V 6A SOP-8 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| TPC8207(TE12L,Q,M) | Toshiba | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET N-CH DUAL 20V 6A SOP8 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| TPC8208(TE12L,Q) | Toshiba | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET N-CH 20V 5A 8-SOP | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| TPC8208(TE12L,Q,M) | Toshiba | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET N-CH DUAL 20V 5A SOP8 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| TPC8210(TE12L,Q,M) | Toshiba | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET N-CH DUAL 30V 8A SOP-8 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| TPC8211(TE12L,Q,M) | Toshiba | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET N-CH DUAL 30V 6A SOP8 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| TPC8212-H(TE12LQ,M | Toshiba | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET N-CH DUAL 30V 6A SOP8 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| TPC8213-H(TE12LQ,M | Toshiba | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET N-CH DUAL 60V 5A SOP8 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| TPC8216-H(TE12L,Q) | Toshiba | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET N-CH DUAL 30V 6.4A 8SOP | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| TPC8221-H,LQ(S | Toshiba | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N-CH DUAL 30V 6A 8SOP | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| TPC8223-H,LQ(S | Toshiba | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N-CH DUAL 30V 9A 8SOP | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| TPC8403(TE12L,Q) | Toshiba | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET N/P-CH 30V 8-SOP | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| TPC8403(TE85L,F) | Toshiba | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET N/P-CH 30V 4.5A 8SOP | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| TPC8404(TE12L,Q) | Toshiba | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET N/P-CH 250V SOP8 2-6J1E | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| TPC8405(TE12L,Q,M) | Toshiba | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET N/P-CH 30V SOP8 2-6J1E | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| TPC8406-H(TE12LQ,M | Toshiba | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET N/P-CH 40V 6.5A SOP-8 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| TPC8407,LQ(S | Toshiba | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N/P-CH 30V 8SOP | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... |
