收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > STS1DN45K3
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

STS1DN45K3

STMicroelectronics 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 450V 0.5A 8-SOIC
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

与STS1DN45K3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
STS1DNC45 STMicroelectronics 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CHAN 450V 0.4A 8-SOIC FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss...
STS1DNF20 STMicroelectronics MOSFET N-CH 8SOIC ...
STS1HNK60 STMicroelectronics 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 600V 300MA 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
STS19N3LLH6 STMicroelectronics 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 19A 8SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
STS17NH3LL STMicroelectronics 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
STS17NF3LL STMicroelectronics 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 17A 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...

STS1DN45K3参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:标准
漏极至源极电压(Vdss):450V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:500mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:3.8 欧姆 @ 500mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):4.5V @ 50µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:6nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:150pF @ 25V
功率 - 最大:1.3W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别