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SSM6P49NU,LF

Toshiba 6-WDFN 裸露焊盘
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简述:MOSFET P CH 20V 4A 2-1Y1A
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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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SSM6P49NU,LF参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 个 P 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:4A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:45 毫欧 @ 3.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):1.2V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:6.74nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:480pF @ 10V
功率 - 最大:1W
安装类型:*

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