| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| ZDM4206NTA | Diodes Inc | SOT-223-8 | MOSFET 2N-CH 60V 1A SOT-223-8 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| ZDM4206NTC | Diodes Inc | SOT-223-8 | MOSFET DUAL N-CHAN SOT-223-8 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| ZDM4306NTA | Diodes Inc | SOT-223-8 | 343 | MOSFET N-CH DUAL 60V 2A SOT223-8 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... | |
| ZDM4306NTC | Diodes Inc | SOT-223-8 | MOSFET DUAL N-CHAN SOT-223-8 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| ZVN4206NTA | Diodes Inc | SOT-223-8 | MOSFET DUAL N-CHAN 60V SOT223-8 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| ZVN4206NTC | Diodes Inc | SOT-223-8 | MOSFET DUAL N-CHAN 60V SOT223-8 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| ZXMC10A816N8TC | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET DUAL COMPL 100V 8-SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| ZXMC3A16DN8TA | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 16000 | MOSFET N/P-CHAN DUAL 30V 8SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| ZXMC3A16DN8TC | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 30000 | MOSFET N/P-CHAN DUAL 30V 8SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| ZXMC3A17DN8TA | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 1500 | MOSFET N/P-CHAN DUAL 30V 8SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| ZXMC3A17DN8TC | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N/P-CHAN DUAL 30V 8SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| ZXMC3A18DN8TA | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N-CH/P-CH 30V 8-SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| ZXMC3AM832TA | Diodes Inc | 8-MLP | MOSFET N+P 30V 2.7A 8MLP 3 X 2 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| ZXMC3AMCTA | Diodes Inc | 8-WDFN 裸露焊盘 | 4459 | MOSFET N+P 30V 2.9A/2.1A DFN | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| ZXMC4559DN8TA | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 1191 | MOSFET N/P-CHAN DUAL 60V 8SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| ZXMC4A16DN8TA | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 4500 | MOSFET N/P-CHAN DUAL 40V 8SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| ZXMC4A16DN8TC | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N/P-CHAN DUAL 40V 8SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| ZXMC6A09DN8TA | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 2732 | MOSFET N+P 60V 4.8A 8-SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| ZXMD63C02XTA | Diodes Inc | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） | 3000 | MOSFET N+P 20V 1.7A 8-MSOP | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| ZXMD63C02XTC | Diodes Inc | 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽） | MOSFET N/P-CHAN DUAL 20V 8MSOP | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... |
