| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| ZXMN6A11DN8TA | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 2000 | MOSFET 2N-CH 60V 2.7A 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| ZXMN6A09DN8TC | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET DUAL N-CHAN 60V 8SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| ZXMN6A09DN8TA | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 3500 | MOSFET 2N-CH 60V 5.1A 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| ZXMN3G32DN8TA | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 5000 | MOSFET N-CHAN 30V 8SOIC DUAL | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| ZXMN3F31DN8TA | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 5587 | MOSFET N-CHAN 30V 8SOIC DUAL | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| ZXMN3AMCTA | Diodes Inc | 8-WDFN 裸露焊盘 | 6000 | MOSFET 2N-CH 30V 2.9A DFN | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| ZXMN3AM832TA | Diodes Inc | 8-MLP | 3000 | MOSFET N-CHAN DUAL 30V 8MLP | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| ZXMN3A06N8TA | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET DUAL N-CHAN 30V 8SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| ZXMN3A06DN8TC | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET DUAL N-CHAN 30V 8SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| ZXMN3A06DN8TA | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 2N-CH 30V 6.2A 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| ZXMN3A04DN8TC | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET DUAL N-CHAN 30V 8SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| ZXMN3A04DN8TA | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 2500 | MOSFET 2N-CH 30V 8.5A 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| ZXMN2AMCTA | Diodes Inc | 8-WDFN 裸露焊盘 | 3000 | MOSFET 2N-CH 20V 2.9A DFN | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| ZXMN2AM832TA | Diodes Inc | 8-MLP | MOSFET N-CHAN DUAL 20V 8MLP | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| ZXMN2A04DN8TC | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET DUAL N-CHAN 20V 8SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| ZXMN2A04DN8TA | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 4000 | MOSFET 2N-CH 20V 7.7A 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| ZXMN10A08DN8TC | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N-CHAN 100V 8SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| ZXMN10A08DN8TA | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 12000 | MOSFET N-CH 100V 1.6A 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| ZXMHN6A07T8TA | Diodes Inc | SOT-223-8 | 3345 | MOSFET N-CHAN 60V 1.6A SOT223-8 | FET 型：4 个 N 通道（H 桥） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压... | |
| ZXMHC6A07T8TA | Diodes Inc | SOT-223-8 | 13000 | MOSFET H-BRIDGE N/P-CH 60V SM8 | FET 型：2 个 N?通道和 2 个 P 通道（H 桥） FET 特点：逻辑电... |
