| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| BSC150N03LDG | Infineon Technologies | 8-PowerVDFN | 10000 | MOSFET N-CH 30V 20A TDSON-8 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| BSD223P | Infineon Technologies | 6-VSSOP，SC-88，SOT-363 | MOSFET 2P-CH 20V 390MA SOT363 | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| BSD223PL6327 | Infineon Technologies | 6-VSSOP，SC-88，SOT-363 | MOSFET 2P-CH 20V 390MA SOT363 | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| BSD840NH6327 | Infineon Technologies | 6-VSSOP，SC-88，SOT-363 | MOSFET N-CH 20V 0.88A SOT363 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| BUK9MJT-55PRF,518 | NXP Semiconductors | 20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） | MOSFET N-CH DUAL 55V 20SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| BTS7904S | Infineon Technologies | TO-220-5 | MOSFET N/PCH 55V/30V 40A TO220-5 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| BTS7904B | Infineon Technologies | TO-263-6，D²Pak（5 引线+接片），TO-263BA | MOSFET N/PCH 55V/30V 40A TO263-5 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| BSS84V-7 | Diodes Inc | SOT-563，SOT-666 | MOSFET P-CH DUAL SOT-563 | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| BSS84DW-7-F | Diodes Inc | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 6000 | MOSFET P-CHAN DUAL 50V SC70-6 | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| BSS84DW-7 | Diodes Inc | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | MOSFET DUAL P-CHAN -50V SC70-6 | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| BSS84AKV,115 | NXP Semiconductors | SOT-563，SOT-666 | MOSFET P-CH 50V SOT666 | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| BSS84AKS,115 | NXP Semiconductors | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 3000 | MOSFET P-CH 50V 160MA 6TSSOP | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| BSS8402DW-7-F | Diodes Inc | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 75673 | MOSFET ARRAY N/P-CHAN SC70-6 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| BSS8402DW-7 | Diodes Inc | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | MOSFET N+P 50,60V 130MA SC70-6 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| BSS138PS,115 | NXP Semiconductors | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 15000 | MOSFET N-CH 60V 320MA 6TSSOP | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| BSS138DW-7-F | Diodes Inc | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 45000 | MOSFET DUAL N-CHAN 50V SC70-6 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| BSS138DW-7 | Diodes Inc | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | MOSFET DUAL N-CHAN 50V SC70-6 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| BSS138BKS,115 | NXP Semiconductors | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 6000 | MOSFET N-CH 60V 320MA 6TSSOP | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| BSO615NG | Infineon Technologies | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 12500 | MOSFET DUAL N-CH 60V 2.6A 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| BSO615N | Infineon Technologies | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET DUAL N-CH 60V 2.6A 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
