| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| BSC072N03LDG | Infineon Technologies | 8-PowerVDFN | 5000 | MOSFET N-CH 30V 20A TDSON-8 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| BSC150N03LDG | Infineon Technologies | 8-PowerVDFN | 10000 | MOSFET N-CH 30V 20A TDSON-8 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| BSC750N10NDG | Infineon Technologies | 8-PowerVDFN | 5000 | MOSFET N-CH 100V 13A TDSON-8 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... | |
| BSD223P | Infineon Technologies | 6-VSSOP，SC-88，SOT-363 | MOSFET 2P-CH 20V 390MA SOT363 | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| BSD223PL6327 | Infineon Technologies | 6-VSSOP，SC-88，SOT-363 | MOSFET 2P-CH 20V 390MA SOT363 | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| BSD235CH6327 | Infineon Technologies | 6-VSSOP，SC-88，SOT-363 | 3000 | MOSFET N/P-CH 20V SOT363 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| BSD235CL6327 | Infineon Technologies | 6-VSSOP，SC-88，SOT-363 | MOSFET N/P-CH 20V SOT-363 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| BSD235NH6327 | Infineon Technologies | 6-VSSOP，SC-88，SOT-363 | MOSFET N-CH DUAL 20V SOT363 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| BSD840NH6327 | Infineon Technologies | 6-VSSOP，SC-88，SOT-363 | MOSFET N-CH 20V 0.88A SOT363 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| BSL205NL6327 | Infineon Technologies | SC-74，SOT-457 | MOSFET N-CH DUAL 20V 2.5A TSOP-6 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| BSL207NL6327 | Infineon Technologies | SC-74，SOT-457 | 6000 | MOSFET N-CH DUAL 20V 2.1A TSOP-6 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| BSL214NL6327 | Infineon Technologies | SC-74，SOT-457 | 18166 | MOSFET N-CH DUAL 20V 1.5A TSOP-6 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| BSL215CL6327 | Infineon Technologies | SC-74，SOT-457 | 6000 | MOSFET N/P-CH 20V 1.5A TSOP-6 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| BSL306NL6327 | Infineon Technologies | SC-74，SOT-457 | MOSFET N-CH DUAL 30V 2.3A TSOP-6 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| BSL308CL6327 | Infineon Technologies | SC-74，SOT-457 | MOSFET P/N-CH 30V 6TSOP | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| BSL308PEL6327 | Infineon Technologies | SC-74，SOT-457 | 3000 | MOSFET P-CH 30V 2A 6TSOP | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| BSL314PEL6327 | Infineon Technologies | SC-74，SOT-457 | MOSFET P-CH 30V 1.5A 6TSOP | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| BSL316CL6327 | Infineon Technologies | SC-74，SOT-457 | 3000 | MOSFET N/P-CH 30V TSOP-6 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| BSL806NL6327 | Infineon Technologies | SC-74，SOT-457 | 3000 | MOSFET N-CH 20V 2.3A 6TSOP | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| BSO150N03 | Infineon Technologies | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 18872 | MOSFET N-CHAN 30V 7.6A DSO-8 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... |
