| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| PHC21025,118 | NXP Semiconductors | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N/P-CH 30V SOT96-1 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| PHC2300,118 | NXP Semiconductors | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N/P-CH 300V 340MA SOT96-1 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| PHKD13N03LT,118 | NXP Semiconductors | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N-CH TRENCH DL 30V 8SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| PHKD13N03LT,518 | NXP Semiconductors | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N-CH TRENCH DL 30V 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| PHKD3NQ10T,518 | NXP Semiconductors | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 2N-CH 100V 3A 8SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| PHKD6N02LT,518 | NXP Semiconductors | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N-CH 20V 10.9A SOT96-1 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| PHN203,518 | NXP Semiconductors | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N-CH 30V 6.3A SOT96-1 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| PHN210,118 | NXP Semiconductors | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET NCH DL TRENCH 8SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| PHN210T,118 | NXP Semiconductors | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N-CH 30V 3.4A 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| PHP225,118 | NXP Semiconductors | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 2680 | MOSFET P-CH 30V 2.3A 8SOIC | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| PMDPB65UP,115 | NXP Semiconductors | 6-UDFN 裸露焊盘 | 6000 | MOSFET P-CH 20V DUAL SOT1118 | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| PMDT290UCE,115 | NXP Semiconductors | SOT-563，SOT-666 | MOSFET NCH DUAL 20V 800MA SOT666 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| PMDT290UNE,115 | NXP Semiconductors | SOT-563，SOT-666 | MOSFET NCH DUAL 20V 800MA SOT666 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| PMDT670UPE,115 | NXP Semiconductors | SOT-563，SOT-666 | MOSFET PCH DUAL 20V 550MA SOT666 | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| PMGD280UN,115 | NXP Semiconductors | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 6000 | MOSFET N-CH TRENCH DL 20V 6TSSOP | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| PMGD290XN,115 | NXP Semiconductors | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 290914 | MOSFET N-CH TRENCH DL 20V 6TSSOP | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| PMGD370XN,115 | NXP Semiconductors | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 9000 | MOSFET N-CH TRENCH DL 30V 6TSSOP | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| PMGD400UN,115 | NXP Semiconductors | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 6000 | MOSFET N-CH TRENCH DL 30V 6TSSOP | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| PMGD780SN,115 | NXP Semiconductors | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 10788 | MOSFET N-CH TRENCH DL 60V 6TSSOP | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| PMGD8000LN,115 | NXP Semiconductors | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 12000 | MOSFET N-CH TRENCH DL 30V 6TSSOP | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
