| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| PHN203,518 | NXP Semiconductors | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N-CH 30V 6.3A SOT96-1 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| PHN210,118 | NXP Semiconductors | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET NCH DL TRENCH 8SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| PHN210T,118 | NXP Semiconductors | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N-CH 30V 3.4A 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| PHP225,118 | NXP Semiconductors | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 2680 | MOSFET P-CH 30V 2.3A 8SOIC | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| PMDPB65UP,115 | NXP Semiconductors | 6-UDFN 裸露焊盘 | 6000 | MOSFET P-CH 20V DUAL SOT1118 | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| PMDT290UCE,115 | NXP Semiconductors | SOT-563，SOT-666 | MOSFET NCH DUAL 20V 800MA SOT666 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| PMDT290UNE,115 | NXP Semiconductors | SOT-563，SOT-666 | MOSFET NCH DUAL 20V 800MA SOT666 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| PMDT670UPE,115 | NXP Semiconductors | SOT-563，SOT-666 | MOSFET PCH DUAL 20V 550MA SOT666 | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| PMGD280UN,115 | NXP Semiconductors | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 6000 | MOSFET N-CH TRENCH DL 20V 6TSSOP | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| PMGD290XN,115 | NXP Semiconductors | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 290914 | MOSFET N-CH TRENCH DL 20V 6TSSOP | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| PMGD370XN,115 | NXP Semiconductors | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 9000 | MOSFET N-CH TRENCH DL 30V 6TSSOP | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| PMGD400UN,115 | NXP Semiconductors | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 6000 | MOSFET N-CH TRENCH DL 30V 6TSSOP | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| PMGD780SN,115 | NXP Semiconductors | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 10788 | MOSFET N-CH TRENCH DL 60V 6TSSOP | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| PMGD8000LN,115 | NXP Semiconductors | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 12000 | MOSFET N-CH TRENCH DL 30V 6TSSOP | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| PMWD15UN,518 | NXP Semiconductors | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET N-CH TRENCH DL 20V 8TSSOP | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| PMWD16UN,518 | NXP Semiconductors | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET N-CH TRENCH DL 20V 8TSSOP | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| PMWD19UN,518 | NXP Semiconductors | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET N-CH TRENCH DL 30V 8TSSOP | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| PMWD20XN,118 | NXP Semiconductors | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET N-CH TRENCH DL 20V 8TSSOP | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| PMWD26UN,518 | NXP Semiconductors | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET N-CH TRENCH DL 20V 8TSSOP | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| PMWD30UN,518 | NXP Semiconductors | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET N-CH TRENCH DL 30V 8TSSOP | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
