| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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SSM6P41FE(TE85L,F) |
Toshiba | SOT-563，SOT-666 | 7685 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET DUAL P-CH 20V .72A ES6 参考包装数量：1 参考包装形式：剪切带 (CT) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| SSM6P47NU,LF | Toshiba | 6-WDFN 裸露焊盘 | 6000 | MOSFET P CH 20V 4A 2-2Y1A | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
| SSM6P49NU,LF | Toshiba | 6-WDFN 裸露焊盘 | MOSFET P CH 20V 4A 2-1Y1A | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| SSN1N45BBU | Fairchild Semiconductor | TO-226-3、TO-92-3 标准主体 | MOSFET N-CH 450V 500MA TO-92 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| SSM6P36FE(TE85L,F) | Toshiba | SOT-563，SOT-666 | MOSFET DUAL P-CH 20V .33A ES6 | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| SSM6P35FE(TE85L,F) | Toshiba | SOT-563，SOT-666 | 4000 | MOSFET DUAL P-CH 20V .1A ES6 | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
| SSM6P15FE(TE85L,F) | Toshiba | SOT-563，SOT-666 | 8000 | MOSFET DUAL P-CH 30V .1A ES6 | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
