收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > STS10DN3LH5
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

STS10DN3LH5

STMicroelectronics 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 7565
询价QQ:
简述:MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC
参考包装数量:1
参考包装形式:剪切带 (CT)

与STS10DN3LH5相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
STS10N3LH5 STMicroelectronics 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 2500 MOSFET N-CH 30V 10A 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
STS10PF30L STMicroelectronics 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC FET 类型:MOSFET P 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
STS11N3LLH5 STMicroelectronics 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
STS05DTP03 STMicroelectronics 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) TRANS DUAL NPN-PNP BIPO 8-SOIC 晶体管类型:NPN,PNP 电流 - 集电极 (Ic)(最大):5A 电压 - ...
STS01DTP06 STMicroelectronics 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) 7500 TRANS NPN/PNP 60V 3A 8SOIC 晶体管类型:NPN,PNP 电流 - 集电极 (Ic)(最大):3A 电压 - ...
STS 3M WIRE MARKER TYPE ON 3/4"X 1 3/8" ...

STS10DN3LH5参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:10A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:21 毫欧 @ 5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:4.6nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:475pF @ 25V
功率 - 最大:2.5W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别