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STS1DNC45

STMicroelectronics 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
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简述:MOSFET N-CHAN 450V 0.4A 8-SOIC
参考包装数量:2500
参考包装形式:带卷 (TR)

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STS1DNC45参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:标准
漏极至源极电压(Vdss):450V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:400mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:4.5 欧姆 @ 500mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):3.7V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:10nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:160pF @ 25V
功率 - 最大:1.6W
安装类型:表面贴装

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