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首页 > 元器件分类 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 H开头
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型号 品牌 封装 数量 描述 参数 PDF资料
HAT2038R-EL-E Renesas Electronics America 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 60V 5A 8SOP FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
HAT2092R-EL-E Renesas Electronics America 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOP FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
HCT802 TT Electronics/Optek Technology 6-SMD,无引线 MOSFET DUAL ENHANCE HERMETIC SMD FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss):9...
HCT802TX TT Electronics/Optek Technology 6-SMD,无引线 MOSFET DUAL ENHANCE HERMETIC SMD FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss):9...
HCT802TXV TT Electronics/Optek Technology 6-SMD,无引线 MOSFET DUAL ENHANCE HERMETIC SMD FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss):9...
HUF76407DK8T Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH DUAL 60V 3.5A SOP-8 FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
HUFA76404DK8T Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH DUAL 62V 3.2A 8-SOIC FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
HUFA76407DK8T Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CH DUAL 60V 3.5A 8-SOIC FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
HUFA76413DK8T Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CHAN 60V 4.8A SO-8 FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
HUFA76504DK8T Fairchild Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) MOSFET N-CHAN 80V 2.3A 8-SOIC FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...