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SSM6P36FE(TE85L,F)

Toshiba SOT-563,SOT-666
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简述:MOSFET DUAL P-CH 20V .33A ES6
参考包装数量:4000
参考包装形式:带卷 (TR)

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SSM6P36FE(TE85L,F)参数资料

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FET 型:2 个 P 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:330mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:1.31 欧姆 @ 100mA,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大):1V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:1.2nC @ 4V
输入电容 (Ciss) @ Vds:43pF @ 10V
功率 - 最大:150mW
安装类型:表面贴装

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