| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| DI9942T | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 1513 | MOSFET N+P 20V 2.5A 8-SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss)：2... | |
| DI9945T | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 1833 | MOSFET 2N-CH 60V 3.5A 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... | |
| DI9952T | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 78 | MOSFET N+P 30V 2.9A 8-SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss)：3... | |
| DI9956T | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 1397 | MOSFET 2N-CH 30V 3.7A 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... | |
| DMC2004DWK-7 | Diodes Inc | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 102000 | MOSFET DUAL COMPL PAIR SOT-363 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| DMC2004LPK-7 | Diodes Inc | 6-SMD，无引线 | MOSFET COMPL PAIR 6-DFN | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| DMC2004VK-7 | Diodes Inc | SOT-563，SOT-666 | 42000 | MOSFET COMPL PAIR SOT-563 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| DMC2020USD-13 | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 5000 | MOSFET DUAL COMPL PAIR 8SO | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| DMC2038LVT-7 | Diodes Inc | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | 11620 | MOSFET N/P-CH 20V TSOT26 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| DMC2400UV-7 | Diodes Inc | SOT-563，SOT-666 | 7690 | MOSFET N P CH 20V SOT563 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| DMC2700UDM-7 | Diodes Inc | SOT-23-6 | 3000 | MOSFET N/P-CH 20V SOT26 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| DMC2990UDJ-7 | Diodes Inc | SOT-963 | MOSFET N/P-CH 20V 450/310 SOT963 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| DMC3018LSD-13 | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET COMPLIMENTARY PAIR 8-SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| DMC3021LK4-13 | Diodes Inc | TO-252-5，DPak（4 引线 + 接片），TO-252AD | 5000 | MOSFET N/P-CH 30V TO252-4L | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| DMC3021LSD-13 | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 2500 | MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A SO8 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss)：3... | |
| DMC3025LSD-13 | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N/P-CH 30V 8SO | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| DMC3028LSD-13 | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 5000 | MOSFET N+P 30V 5.5A SO8 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| DMC3035LSD-13 | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET COMPL PAIR 2000MW 8-SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| DMC3036LSD-13 | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET COMPL PAIR 2500MW 8-SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| DMC4040SSD-13 | Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 25000 | MOSFET N/P-CH 40V 5.7A SO8 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... |
