| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| UM5K1NTR | Rohm Semiconductor | 6-TSSOP（5 引线），SC-88A，SOT-353 | 12000 | MOSFET 2N-CH 30V .1A SOT-353 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| UM6J1NTN | Rohm Semiconductor | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 3000 | MOSFET 2P-CH 30V 200MA UMT6 | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| UM6K1NTN | Rohm Semiconductor | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 30000 | MOSFET 2N-CH 30V .1A SOT-363 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| UP0187B00L | Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products | SOT-665 | MOSFET N-CH 30V 100MA SSMINI-5 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| UP0487800L | Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products | SOT-563，SOT-666 | MOSFET 2N-CH 50V .1A SS-MINI-6P | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| UP04878G0L | Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products | SOT-563，SOT-666 | MOSFET 2N-CH 50V .1A SSMINI-6 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| UP0487C00L | Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products | SOT-563，SOT-666 | 16000 | MOSFET 2N-CH 20V 100MA SSMINI-6 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| UP0497900L | Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products | SOT-563，SOT-666 | MOSFET N+P 50,30V .1A SSMINI-6P | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| UP04979G0L | Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products | SOT-563，SOT-666 | MOSFET N+P 50V .1A SSMINI-6 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| UPA2550T1H-T1-AT | Renesas Electronics America | 8-WSOF | MOSFET P-CH DUAL 12V 8VSOF | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| UPA2550T1H-T2-AT | Renesas Electronics America | 8-WSOF | MOSFET P-CH DUAL 12V 8VSOF | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| UPA2560T1H-T1-AT | Renesas Electronics America | 8-WSOF | MOSFET N-CH DUAL 30V 8VSOF | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| UPA2560T1H-T2-AT | Renesas Electronics America | 8-WSOF | MOSFET N-CH DUAL 30V 8VSOF | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| UPA2590T1H-T1-AT | Renesas Electronics America | 8-WSOF | MOSFET N/P-CH 30V 8VSOF | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| UPA2590T1H-T2-AT | Renesas Electronics America | 8-WSOF | MOSFET N/P-CH 30V 8VSOF | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| UPA2755AGR-E1-AT | Renesas Electronics America | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） | 5000 | MOSFET DL N-CH 30V 8A 8SOP | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| UPA2755AGR-E2-AT | Renesas Electronics America | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| UPA2756GR-E1-AT | Renesas Electronics America | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET N-CH DUAL 60V 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| UPA2756GR-E2-AT | Renesas Electronics America | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET N-CH DUAL 60V 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| UPA2757GR-E1-AT | Renesas Electronics America | 8-SOIC（0.173"，4.40mm 宽） | MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
