| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| QS5K2TR | Rohm Semiconductor | SOT-23-5 细型，TSOT-23-5 | MOSFET 2N-CH 30V 2A TSMT5 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| QS6J11TR | Rohm Semiconductor | SC-95-6 | 6000 | MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6 | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| QS6J1TR | Rohm Semiconductor | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | 7363 | MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6 | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| QS6J3TR | Rohm Semiconductor | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6 | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| QS6K1TR | Rohm Semiconductor | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | 12000 | MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| QS6K21TR | Rohm Semiconductor | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | 15000 | MOSFET N-CH 45V 1A TSMT6 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... | |
| QS6M3TR | Rohm Semiconductor | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | 81000 | MOSFET N+P 30,20V 1.5A TSMT6 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| QS6M4TR | Rohm Semiconductor | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | 24000 | MOSFET N+P 30,20V 1.5A TSMT6 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| QS8J1TR | Rohm Semiconductor | TSMT8 | 3000 | MOSFET P-CH 12V 4.5A TSMT8 | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| QS8K51TR | Rohm Semiconductor | 6000 | MOSFET 2N-CH 30V 2A TSMT8 | ... | ||
| QS8M11TCR | Rohm Semiconductor | 6000 | MOSFET N/P-CH 30V 3.5A TSMT8 | ... | ||
| QS8M12TCR | Rohm Semiconductor | 8-SMD，扁平引线 | 3000 | MOSFET N/P-CH 30V 4A TSMT8 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| QS8M13TCR | Rohm Semiconductor | 8-SMD，扁平引线 | 5993 | MOSFET N/P-CH 30V 6A TSMT8 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| QS8M51TR | Rohm Semiconductor | 8-SMD，扁平引线 | 5900 | MOSFET N/P-CH 100V 2A TSMT8 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... |
