| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| MCH6601-TL-E | ON Semiconductor | 6-SMD，无引线 | MOSFET P-CH DUAL 30V 200MA MCPH6 | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| MCH6602-TL-E | ON Semiconductor | 6-SMD，无引线 | 0+9000 | MOSFET N-CH DUAL 30V 350MA MCPH6 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| MCH6604-TL-E | ON Semiconductor | 6-SMD，无引线 | MOSFET N-CH DUAL 50V 250MA MCPH6 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| MCH6613-TL-E | ON Semiconductor | 6-SMD，无引线 | MOSFET N/P-CH 30V 350MA MCPH6 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| MCH6626-TL-E | SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation | 6-SMD，扁平引线 | MOSFET N/P-CH 20V 1.6/1A MCPH6 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| MCH6660-TL-H | ON Semiconductor | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 0+102000 | MOSFET N/P-CH 10V 2/1.5A MCPH6 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| MCH6662-TL-H | ON Semiconductor | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | MOSFET N-CH 20V 2A DUAL MCPH6 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| MCH6663-TL-H | ON Semiconductor | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | MOSFET N/P-CH 30V 1.8/1.5A MCPH6 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| MMDF1N05ER2 | ON Semiconductor | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 2N-CH 50V 2A 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| MMDF1N05ER2G | ON Semiconductor | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N-CHAN DUAL 2A 50V 8SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| MMDF2C03HDR2 | ON Semiconductor | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N/P-CH 30V 3A 8-SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| MMDF2C03HDR2G | ON Semiconductor | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N/P-CHAN 2A 30V 8SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| MMDF2N02ER2 | ON Semiconductor | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 2N-CH 25V 3.6A 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| MMDF2N02ER2G | ON Semiconductor | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N-CHAN DUAL 2A 25V 8SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| MMDF2P02ER2G | ON Semiconductor | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET PWR P-CH 25V 2.5A 8-SOIC | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| MMDF2P02HDR2 | ON Semiconductor | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 2P-CH 20V 3.3A 8-SOIC | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| MMDF2P02HDR2G | ON Semiconductor | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET P-CH DUAL 3.3A 20V 8SOIC | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| MMDF3N04HDR2 | ON Semiconductor | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 2N-CH 40V 3.4A 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| MMDF3N04HDR2G | ON Semiconductor | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N-CH DUAL 3.4A 40V 8SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| MP4209(Q) | Toshiba | 10-SIP | MOSFET MOD N-CH 100V 3A 10-SIP | FET 型：4 个 N 通道（H 桥） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压... |
