| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| SH8J62TB1 | Rohm Semiconductor | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 2500 | MOSFET P-CH DUAL 30V 4.5A SOP8 | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| SH8J65TB1 | Rohm Semiconductor | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 2500 | MOSFET P-CH DUAL 30V 7A SOP8 | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| SH8J66TB1 | Rohm Semiconductor | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 12500 | MOSFET P-CH DUAL 30V 9A SOP8 | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| SH8K1TB1 | Rohm Semiconductor | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 2500 | MOSFET N-CH DUAL 30V 5A SOP8 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| SH8K22TB1 | Rohm Semiconductor | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 2500 | MOSFET N-CH DUAL 45V 4.5A SOP8 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| SH8K2TB1 | Rohm Semiconductor | 8-SMD，鸥翼型 | 4980 | MOSFET N-CH DUAL 30V 6A SOP8 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| SH8K32TB1 | Rohm Semiconductor | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 10000 | MOSFET N-CH DUAL 60V 4.5A SOP8 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| SH8K3TB1 | Rohm Semiconductor | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 5000 | MOSFET N-CH DUAL 30V 7A SOP8 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| SH8K4TB1 | Rohm Semiconductor | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 2500 | MOSFET N-CH DUAL 30V 9A SOP8 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| SH8M24TB1 | Rohm Semiconductor | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N/P-CH 45V SOP8 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss)：4... | ||
| SH8M2TB1 | Rohm Semiconductor | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 2500 | MOSFET N/P-CH 30V SOP8 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss)：3... | |
| SH8M41TB1 | Rohm Semiconductor | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 5000 | MOSFET N/P-CH 80V SOP8 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| SH8M4TB1 | Rohm Semiconductor | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 12500 | MOSFET N+P 30V 9A/7A 8-SOIC | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| SH8M5TB1 | Rohm Semiconductor | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 2500 | MOSFET N/P-CH 30V SOP8 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| SH8M70TB1 | Rohm Semiconductor | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 2500 | MOSFET N/P-CH 250V SOP8 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss)：2... | |
| SI1016X-T1-E3 | Vishay Siliconix | SOT-563，SOT-666 | MOSFET N/P-CH COMPL 20V SOT563F | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| SI1016X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | SOT-563，SOT-666 | 30000 | MOSFET N/P-CH 20V SC89-6 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| SI1023X-T1-E3 | Vishay Siliconix | SOT-563，SOT-666 | MOSFET P-CH DUAL 20V SOT563F | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SI1024X-T1-E3 | Vishay Siliconix | SOT-563，SOT-666 | MOSFET 2N-CH 20V 485MA SOT563F | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SI1024X-T1-GE3 | Vishay Siliconix | SOT-563，SOT-666 | 1426 | MOSFET DL N-CH 20V 485MA SC89-6 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
