收藏本站

首页 > 元器件分类 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 C开头
元件索引: A B C D E F G H I L M N P Q R S T U V W X Z 2
型号 品牌 封装 数量 描述 参数 PDF资料
CPH5617-TL-E ON Semiconductor 5-SMD,鸥翼型 MOSFET N-CH ARRAY 30V 150MA CPH5 FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
CSD87351Q5D Texas Instruments 8-LDFN 裸露焊盘 2500 IC PWR BLOCK SYNC BUCK 30V SON FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
CSD87352Q5D Texas Instruments 8-LDFN 裸露焊盘 4694 MOSFET 2N-CH 30V 25A 8SON FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
CSD87353Q5D Texas Instruments 8-LDFN 裸露焊盘 5000 IC PWR BLOCK SYNC BUCK 30V 8SON FET 型:2 个 N 通道(半桥) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vds...
CSD87350Q5D Texas Instruments 8-LDFN 裸露焊盘 IC PWR BLOCK SYNC BUCK 40A 8SON FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
CSD87331Q3D Texas Instruments 8-LDFN 裸露焊盘 IC PWR BLOCK SYNC BUCK 30V 8SON FET 型:2 个 N 通道(半桥) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vds...
CSD87330Q3D Texas Instruments 8-LDFN 裸露焊盘 5000 IC PWR BLOCK SYNC BUCK 30V 8SON FET 型:2 个 N 通道(半桥) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(...
CSD86350Q5D Texas Instruments 8-SOIC(0.236",6.00mm 宽) 10000 MOSFET N-CH 25V 40A 8SON FET 型:2 个 N 通道(半桥) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(...
CSD86330Q3D Texas Instruments 8-LDFN 5000 MOSFET 2N-CH 25V 20A 8SON FET 型:2 个 N 通道(半桥) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(...
CSD86311W1723 Texas Instruments 12-UFBGA,DSBGA MOSFET 2N-CH 25V 4.5A 12DSBGA FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
CSD75301W1015 Texas Instruments 6-UFBGA,DSBGA 3000+9000 MOSFET PCH 20V 1.2A 6DSBGA FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
CSD75211W1723 Texas Instruments 12-UFBGA,DSBGA MOSFET 2P-CH 20V 4.5A 12DSBGA FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
CSD75205W1015 Texas Instruments 6-UFBGA,DSBGA 5956+3000 MOSFET PCH -20V -1.2A 6DSBGA FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
CSD75204W15 Texas Instruments 9-UFBGA,DSBGA 5925+39000 MOSFET PCH -20V -3A 9DSBGA FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
CPH6616-TL-E SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 MOSFET N-CH DUAL 30V 2.5A CPH6 FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
CPH6615-TL-E SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 MOSFET N/P-CH 30V 2.5/1.8A CPH6 FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss...