| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| SIZ790DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V DS PWRPAIR 6X3.7 | ... | |||
| SIZ900DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V DS POWERPAIR 6X5 | ... | |||
| SIZ902DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 8-PowerWDFN | MOSFET N-CH 30V DUAL D-S | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SIZ904DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V DS POWERPAIR 6X5 | ... | |||
| SIZ910DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 8-PowerWDFN | MOSFET N-CH 30V DUAL D-S | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SIZ916DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | MOSFET N-CH 30V DS POWERPAIR 6X5 | ... | |||
| SIZ918DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 6-PowerPair? | MOSFET N-CH 30V 16A 28A 6X5 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SIZ920DT-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 6-PowerPair? | MOSFET N-CH 30V D-S DUAL PWRPAIR | FET 型：2 个 N 通道（半桥） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(... | ||
| SM6K2T110 | Rohm Semiconductor | SC-74，SOT-457 | 6000 | MOSFET 2N-CH 60V 200MA SOT-457 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| SMMA511DJ-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SC-70-6 双 | MOSFET N/P-CH 12V PPAK SC70-6L | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| SMMB911DK-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SC-75-6L 双 | MOSFET DUAL P-CH D-S 20V SC75-6L | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| SP8J2FU6TB | Rohm Semiconductor | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET P-CH DUAL 30V 4.5A 8SOIC | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SP8J2TB | Rohm Semiconductor | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 2500 | MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8-SOIC | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| SP8J3FU6TB | Rohm Semiconductor | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET P-CH DUAL 30V 3.5A 8SOIC | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SP8J3TB | Rohm Semiconductor | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 2P-CH 30V 3.5A 8-SOIC | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SP8J4TB | Rohm Semiconductor | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 2P-CH 30V 2A 8-SOIC | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SP8J5FU6TB | Rohm Semiconductor | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET P-CH DUAL 30V 7A 8SOIC | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SP8J5TB | Rohm Semiconductor | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 4718 | MOSFET 2P-CH 30V 7A 8-SOIC | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| SP8J65TB1 | Rohm Semiconductor | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET P-CH DUAL 30V 7A 8SOIC | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SP8J66TB1 | Rohm Semiconductor | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET P-CH DUAL 30V 9A 8SOIC | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... |
