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SM6K2T110

Rohm Semiconductor SC-74,SOT-457 6000
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简述:MOSFET 2N-CH 60V 200MA SOT-457
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与SM6K2T110相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
SM6T100A STMicroelectronics DO-214AA,SMB 15000 TRANSIL 600W 100V UNIDIR SMB 电压 - 反向关态(典型值):85.5V 电压 - 击穿:95V 功率 (W):...
SM6T100CA STMicroelectronics DO-214AA,SMB 25000 TRANSIL 600W 100V BIDIR SMB 电压 - 反向关态(典型值):85.5V 电压 - 击穿:95V 功率 (W):...
SM6T10A STMicroelectronics DO-214AA,SMB TRANSIL 600W 10V UNIDIR SMB 电压 - 反向关态(典型值):8.55V 电压 - 击穿:9.5V 功率 (W)...
SM6HT43A STMicroelectronics DO-214AA,SMB 2500 TRANSIL 600W 43V UNIDIR AUTO SMB 电压 - 反向关态(典型值):36.8V 电压 - 击穿:40.9V 功率 (W...
SM6HT39A STMicroelectronics DO-214AA,SMB TRANSIL 600W 39V UNIDIR AUTO SMB 电压 - 反向关态(典型值):33.3V 电压 - 击穿:37.1V 功率 (W...
SM6HT36A STMicroelectronics DO-214AA,SMB TRANSIL 600W 37V UNIDIR AUTO SMB 电压 - 反向关态(典型值):30.8V 电压 - 击穿:34.2V 功率 (W...

SM6K2T110参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:200mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:2.4 欧姆 @ 200mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):2.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:4.4nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:15pF @ 10V
功率 - 最大:300mW
安装类型:表面贴装

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