收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > SIZ920DT-T1-GE3
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

SIZ920DT-T1-GE3

Vishay Siliconix 6-PowerPair?
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 30V D-S DUAL PWRPAIR
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与SIZ920DT-T1-GE3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
SJ1-2503A CUI Inc 28663 CONN JACK STEREO RTANG 2.5MM ...
SJ1-2513-SMT CUI Inc 6004 CONN AUDIO JACK STEREO 2.5MM SMD ...
SJ1-2514-SMT CUI Inc 4000 CONN AUDIO JACK STEREO 2.5MM SMD ...
SIZ918DT-T1-GE3 Vishay Siliconix 6-PowerPair? MOSFET N-CH 30V 16A 28A 6X5 FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
SIZ916DT-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V DS POWERPAIR 6X5 ...
SIZ910DT-T1-GE3 Vishay Siliconix 8-PowerWDFN MOSFET N-CH 30V DUAL D-S FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...

SIZ920DT-T1-GE3参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 个 N 通道(半桥)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:40A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:7.1 毫欧 @ 18.9A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):2.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:35nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:1260pF @ 15V
功率 - 最大:39W,100W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别