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SP8J3TB

Rohm Semiconductor 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
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简述:MOSFET 2P-CH 30V 3.5A 8-SOIC
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SP8J3TB参数资料

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FET 型:2 个 P 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:90 毫欧 @ 3.5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):2.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs:5.5nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:490pf @ 10V
功率 - 最大:2W
安装类型:表面贴装

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