| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
|---|---|---|---|---|---|
SP8J2TB |
Rohm Semiconductor | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 2500 | 询价QQ： |
|
| 简述：MOSFET 2P-CH 30V 4.5A 8-SOIC 参考包装数量：2500 参考包装形式：带卷 (TR) |
|||||
| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
|---|---|---|---|---|---|
| SP8J3FU6TB | Rohm Semiconductor | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET P-CH DUAL 30V 3.5A 8SOIC | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| SP8J3TB | Rohm Semiconductor | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 2P-CH 30V 3.5A 8-SOIC | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| SP8J4TB | Rohm Semiconductor | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 2P-CH 30V 2A 8-SOIC | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| SP8J2FU6TB | Rohm Semiconductor | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET P-CH DUAL 30V 4.5A 8SOIC | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| SP8J1TB | Rohm Semiconductor | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET 2P-CH 30V 5A 8-SOIC | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| SP8J1FU6TB | Rohm Semiconductor | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET P-CH DUAL 30V 5A 8SOIC | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
