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SIZ902DT-T1-GE3

Vishay Siliconix 8-PowerWDFN
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简述:MOSFET N-CH 30V DUAL D-S
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

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SIZ902DT-T1-GE3参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:16A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:12 毫欧 @ 13.8A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):2.2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:21nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:790pF @ 15V
功率 - 最大:29W,66W
安装类型:表面贴装

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