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首页 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > SIZ900DT-T1-GE3
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SIZ900DT-T1-GE3

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简述:MOSFET N-CH 30V DS POWERPAIR 6X5
参考包装数量:3000
参考包装形式:

与SIZ900DT-T1-GE3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
SIZ902DT-T1-GE3 Vishay Siliconix 8-PowerWDFN MOSFET N-CH 30V DUAL D-S FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
SIZ904DT-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V DS POWERPAIR 6X5 ...
SIZ910DT-T1-GE3 Vishay Siliconix 8-PowerWDFN MOSFET N-CH 30V DUAL D-S FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
SIZ790DT-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V DS PWRPAIR 6X3.7 ...
SIZ730DT-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 30V POWERPAIR 6X3.7 ...
SIZ728DT-T1-GE3 Vishay Siliconix MOSFET N-CH 25V POWERPAIR 6X3.7 ...

SIZ900DT-T1-GE3参数资料

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