型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
---|---|---|---|---|---|---|
SI5509DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 8-SMD,扁平引线 | MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET 1206-8 | FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
SI5511DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | 8-SMD,扁平引线 | MOSFET N/P-CH 30V CHIPFET 1206-8 | FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
SI5511DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 8-SMD,扁平引线 | MOSFET N/P-CH 30V 1206-8 | FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
SI5513CDC-T1-E3 | Vishay Siliconix | 8-SMD,扁平引线 | MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET 1206-8 | FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
SI5513CDC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 8-SMD,扁平引线 | 3000 | MOSFET N/P-CH 20V 1206-8 | FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
SI5513DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | 8-SMD,扁平引线 | 29010 | MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET 1206-8 | FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
SI5513DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 8-SMD,扁平引线 | MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET 1206-8 | FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
SI5515CDC-T1-E3 | Vishay Siliconix | 8-SMD,扁平引线 | MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET 1206-8 | FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
SI5515CDC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 8-SMD,扁平引线 | 3000 | MOSFET N/P-CH 20V 1206-8 | FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
SI5515DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | 8-SMD,扁平引线 | 3000 | MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET 1206-8 | FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
SI5515DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 8-SMD,扁平引线 | MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET 1206-8 | FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
SI5517DU-T1-E3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? CHIPFET? 双 | MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET PPAK | FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
SI5517DU-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? CHIPFET? 双 | 42000 | MOSFET N/PCH D-S 20V PPAK CHIPFT | FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
SI5519DU-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? CHIPFET? 双 | MOSFET N/P-CH 20V PWRPAK CHPFET | FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss):2... | ||
SI5902BDC-T1-E3 | Vishay Siliconix | 8-SMD,扁平引线 | MOSFET N-CH 30V CHIPFET 1206-8 | FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
SI5902BDC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 8-SMD,扁平引线 | MOSFET N-CH 30V 1206-8 | FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
SI5902DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | 8-SMD,扁平引线 | 6000 | MOSFET DUAL N-CH 30V 2.9A 1206-8 | FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
SI5903DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | 8-SMD,扁平引线 | 2336 | MOSFET DUAL P-CH 20V 2.1A 1206-8 | FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
SI5903DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 8-SMD,扁平引线 | MOSFET DUAL P-CH 20V 2.1A 1206-8 | FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
SI5904DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | 8-SMD,扁平引线 | 18000 | MOSFET DUAL N-CH 20V 3.1A 1206-8 | FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |