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SI5519DU-T1-GE3

Vishay Siliconix PowerPAK? CHIPFET? 双
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简述:MOSFET N/P-CH 20V PWRPAK CHPFET
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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SI5519DU-T1-GE3参数资料

PDF资料下载:

FET 型:N 和 P 沟道
FET 特点:标准
漏极至源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:6A,4.8A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:36 毫欧 @ 6.1A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大):1.8V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:17.5nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:660pF @ 10V
功率 - 最大:2.27W
安装类型:表面贴装

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