| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
|---|---|---|---|---|---|
SI5513CDC-T1-GE3 |
Vishay Siliconix | 8-SMD，扁平引线 | 3000 | 询价QQ： |
|
| 简述：MOSFET N/P-CH 20V 1206-8 参考包装数量：3000 参考包装形式：带卷 (TR) |
|||||
| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
|---|---|---|---|---|---|
| SI5513DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | 8-SMD，扁平引线 | 29010 | MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET 1206-8 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... |
| SI5513DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 8-SMD，扁平引线 | MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET 1206-8 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| SI5515CDC-T1-E3 | Vishay Siliconix | 8-SMD，扁平引线 | MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET 1206-8 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| SI5513CDC-T1-E3 | Vishay Siliconix | 8-SMD，扁平引线 | MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET 1206-8 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| SI5511DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 8-SMD，扁平引线 | MOSFET N/P-CH 30V 1206-8 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| SI5511DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | 8-SMD，扁平引线 | MOSFET N/P-CH 30V CHIPFET 1206-8 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... |
