收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > SI5513CDC-T1-GE3
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

SI5513CDC-T1-GE3

Vishay Siliconix 8-SMD,扁平引线 3000
询价QQ:
简述:MOSFET N/P-CH 20V 1206-8
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与SI5513CDC-T1-GE3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
SI5513DC-T1-E3 Vishay Siliconix 8-SMD,扁平引线 29010 MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET 1206-8 FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss...
SI5513DC-T1-GE3 Vishay Siliconix 8-SMD,扁平引线 MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET 1206-8 FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss...
SI5515CDC-T1-E3 Vishay Siliconix 8-SMD,扁平引线 MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET 1206-8 FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss...
SI5513CDC-T1-E3 Vishay Siliconix 8-SMD,扁平引线 MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET 1206-8 FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss...
SI5511DC-T1-GE3 Vishay Siliconix 8-SMD,扁平引线 MOSFET N/P-CH 30V 1206-8 FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss...
SI5511DC-T1-E3 Vishay Siliconix 8-SMD,扁平引线 MOSFET N/P-CH 30V CHIPFET 1206-8 FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss...

SI5513CDC-T1-GE3参数资料

PDF资料下载:

FET 型:N 和 P 沟道
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:4A,3.7A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:55 毫欧 @ 4.4A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大):1.5V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:4.2nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:285pF @ 10V
功率 - 最大:3.1W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别