| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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SI5513CDC-T1-E3 |
Vishay Siliconix | 8-SMD，扁平引线 | 闂傚倸鍊搁崐鐑芥倿閿曗偓椤啴宕归鍛數闂侀€炲苯澧扮紒杈ㄥ浮楠炴捇骞掑┑鍫濇倯闂備浇顕栭崹顖炴倿閿斿墽鐭夐柟鐑樻煛閸嬫捇鏁愭惔鈥茬凹濠电偛鎳忛悧鐘差潖閾忚宕夐柕濞垮劜閻濄垽姊洪悷鏉挎闁瑰嚖鎷�0755-83217923 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET 1206-8 参考包装数量：3000 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| SI5513CDC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 8-SMD，扁平引线 | 3000 | MOSFET N/P-CH 20V 1206-8 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... |
| SI5513DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | 8-SMD，扁平引线 | 29010 | MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET 1206-8 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... |
| SI5513DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 8-SMD，扁平引线 | MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET 1206-8 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| SI5511DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 8-SMD，扁平引线 | MOSFET N/P-CH 30V 1206-8 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| SI5511DC-T1-E3 | Vishay Siliconix | 8-SMD，扁平引线 | MOSFET N/P-CH 30V CHIPFET 1206-8 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| SI5509DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 8-SMD，扁平引线 | MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET 1206-8 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... |
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