型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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SI5513DC-T1-E3 |
Vishay Siliconix | 8-SMD,扁平引线 | 29010 | 询价QQ: |
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简述:MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET 1206-8 参考包装数量:1 参考包装形式:剪切带 (CT) |
型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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SI5513DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 8-SMD,扁平引线 | MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET 1206-8 | FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
SI5515CDC-T1-E3 | Vishay Siliconix | 8-SMD,扁平引线 | MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET 1206-8 | FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
SI5515CDC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 8-SMD,扁平引线 | 3000 | MOSFET N/P-CH 20V 1206-8 | FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... |
SI5513CDC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 8-SMD,扁平引线 | 3000 | MOSFET N/P-CH 20V 1206-8 | FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... |
SI5513CDC-T1-E3 | Vishay Siliconix | 8-SMD,扁平引线 | MOSFET N/P-CH 20V CHIPFET 1206-8 | FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
SI5511DC-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 8-SMD,扁平引线 | MOSFET N/P-CH 30V 1206-8 | FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... |