收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > SI5902BDC-T1-GE3
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

SI5902BDC-T1-GE3

Vishay Siliconix 8-SMD,扁平引线
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 30V 1206-8
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与SI5902BDC-T1-GE3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
SI5902DC-T1-E3 Vishay Siliconix 8-SMD,扁平引线 6000 MOSFET DUAL N-CH 30V 2.9A 1206-8 FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
SI5903DC-T1-E3 Vishay Siliconix 8-SMD,扁平引线 2336 MOSFET DUAL P-CH 20V 2.1A 1206-8 FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
SI5903DC-T1-GE3 Vishay Siliconix 8-SMD,扁平引线 MOSFET DUAL P-CH 20V 2.1A 1206-8 FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
SI5902BDC-T1-E3 Vishay Siliconix 8-SMD,扁平引线 MOSFET N-CH 30V CHIPFET 1206-8 FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
SI5858DU-T1-GE3 Vishay Siliconix PowerPAK? CHIPFET? 双 MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:二极管(隔离式)...
SI5858DU-T1-E3 Vishay Siliconix PowerPAK? CHIPFET? 双 MOSFET N-CH 20V 6A PPAK CHIPFET FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:二极管(隔离式)...

SI5902BDC-T1-GE3参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:4A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:65 毫欧 @ 3.1A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:7nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:220pF @ 15V
功率 - 最大:3.12W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别