| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
|---|---|---|---|---|---|---|
| SI1970DH-T1-E3 | Vishay Siliconix | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 18000 | MOSFET N-CH DUAL 30V 1.3A SC70-6 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| SI1970DH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | MOSFET N-CH DUAL 30V SC70-6 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SI1972DH-T1-E3 | Vishay Siliconix | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 86668 | MOSFET N-CH DUAL 30V 1.3A SC70-6 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... | |
| SI1972DH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | MOSFET N-CH 30V DUAL SC-70-6 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SI1988DH-T1-E3 | Vishay Siliconix | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 27000 | MOSFET N-CH DUAL 20V 1.3A SC70-6 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... | |
| SI1988DH-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | MOSFET N-CH 20V DUAL SC-70-6 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
| SI3529DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） | MOSFET N/P-CH 40V 6-TSOP | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| SI3529DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） | MOSFET N/P-CH 40V 6-TSOP | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| SI3552DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） | MOSFET N/P-CH 30V 2.5/1.8A 6TSOP | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| SI3552DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） | MOSFET N/P-CH D-S 30V 6-TSOP | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| SI3585DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） | 7412 | MOSFET N/P-CH 20V 2A/1.5A 6-TSOP | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| SI3585DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） | MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| SI3586DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） | 9000 | MOSFET N/P-CH 20V 2.9/2.1A 6TSOP | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| SI3586DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） | MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| SI3588DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） | MOSFET N/P-CH 20V 2.5/.57A 6TSOP | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| SI3588DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） | 3000 | MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| SI3590DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） | 24000 | MOSFET N/P-CH 30V 2.5/1.7A 6TSOP | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| SI3590DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） | MOSFET N/P-CH 30V 6-TSOP | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| SI3850ADV-T1-E3 | Vishay Siliconix | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） | MOSFET N/P-CH 20V 1.4/.96A 6TSOP | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | ||
| SI3850ADV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） | MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... |
