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SI3529DV-T1-GE3

Vishay Siliconix 6-TSOP(0.065",1.65mm 宽)
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简述:MOSFET N/P-CH 40V 6-TSOP
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

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SI3529DV-T1-GE3参数资料

PDF资料下载:

FET 型:N 和 P 沟道
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):40V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:2.5A,1.95A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:125 毫欧 @ 2.2A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:7nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:205pF @ 20V
功率 - 最大:1.4W
安装类型:表面贴装

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