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SI1988DH-T1-E3

Vishay Siliconix 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 27000
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简述:MOSFET N-CH DUAL 20V 1.3A SC70-6
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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SI1988DH-T1-E3参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:标准
漏极至源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:1.3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:168 毫欧 @ 1.4A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大):1V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:4.1nC @ 8V
输入电容 (Ciss) @ Vds:110pF @ 10V
功率 - 最大:740mW
安装类型:表面贴装

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