| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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SI3585DV-T1-E3 |
Vishay Siliconix | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） | 7412 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N/P-CH 20V 2A/1.5A 6-TSOP 参考包装数量：1 参考包装形式： |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| SI3585DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） | MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| SI3586DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） | 9000 | MOSFET N/P-CH 20V 2.9/2.1A 6TSOP | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... |
| SI3586DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） | MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| SI3552DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） | MOSFET N/P-CH D-S 30V 6-TSOP | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| SI3552DV-T1-E3 | Vishay Siliconix | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） | MOSFET N/P-CH 30V 2.5/1.8A 6TSOP | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| SI3529DV-T1-GE3 | Vishay Siliconix | 6-TSOP（0.065"，1.65mm 宽） | MOSFET N/P-CH 40V 6-TSOP | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... |
