收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > SI3585DV-T1-E3
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

SI3585DV-T1-E3

Vishay Siliconix 6-TSOP(0.065",1.65mm 宽) 7412
询价QQ:
简述:MOSFET N/P-CH 20V 2A/1.5A 6-TSOP
参考包装数量:1
参考包装形式:

与SI3585DV-T1-E3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
SI3585DV-T1-GE3 Vishay Siliconix 6-TSOP(0.065",1.65mm 宽) MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss...
SI3586DV-T1-E3 Vishay Siliconix 6-TSOP(0.065",1.65mm 宽) 9000 MOSFET N/P-CH 20V 2.9/2.1A 6TSOP FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss...
SI3586DV-T1-GE3 Vishay Siliconix 6-TSOP(0.065",1.65mm 宽) MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss...
SI3552DV-T1-GE3 Vishay Siliconix 6-TSOP(0.065",1.65mm 宽) MOSFET N/P-CH D-S 30V 6-TSOP FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss...
SI3552DV-T1-E3 Vishay Siliconix 6-TSOP(0.065",1.65mm 宽) MOSFET N/P-CH 30V 2.5/1.8A 6TSOP FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss...
SI3529DV-T1-GE3 Vishay Siliconix 6-TSOP(0.065",1.65mm 宽) MOSFET N/P-CH 40V 6-TSOP FET 型:N 和 P 沟道 FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss...

SI3585DV-T1-E3参数资料

PDF资料下载:

FET 型:N 和 P 沟道
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:2A,1.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:125 毫欧 @ 2.4A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大):600mV @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:3.2nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds:-
功率 - 最大:830mW
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别