收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > SI1972DH-T1-GE3
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

SI1972DH-T1-GE3

Vishay Siliconix 6-TSSOP,SC-88,SOT-363
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 30V DUAL SC-70-6
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与SI1972DH-T1-GE3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
SI1988DH-T1-E3 Vishay Siliconix 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 27000 MOSFET N-CH DUAL 20V 1.3A SC70-6 FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss...
SI1988DH-T1-GE3 Vishay Siliconix 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 MOSFET N-CH 20V DUAL SC-70-6 FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
SI-20140 Stewart Connector CONN MAGJACK W/CHOKE SHLD 10BT ...
SI1972DH-T1-E3 Vishay Siliconix 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 86668 MOSFET N-CH DUAL 30V 1.3A SC70-6 FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss...
SI1970DH-T1-GE3 Vishay Siliconix 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 MOSFET N-CH DUAL 30V SC70-6 FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
SI1970DH-T1-E3 Vishay Siliconix 6-TSSOP,SC-88,SOT-363 18000 MOSFET N-CH DUAL 30V 1.3A SC70-6 FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...

SI1972DH-T1-GE3参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:1.3A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:225 毫欧 @ 1.3A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):2.8V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:2.8nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:75pF @ 15V
功率 - 最大:1.25W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别