型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 参数 | PDF资料 |
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SI7946DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 双 | 3000 | MOSFET DUAL N-CH 150V 8-SOIC | FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
SI7946DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 双 | MOSFET N-CH D-S 150V 8-SOIC | FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
SI7948DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET N-CH DL 60V PWRPAK 8-SOIC | FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
SI7949DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 双 | 264 | MOSFET 2P-CH 60V 3.2A 8SOIC | FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
SI7949DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 双 | 6000 | MOSFET P-CH D-S 60V 8-SOIC | FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
SI7956DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 双 | MOSFET DUAL N-CH 150V 8-SOIC | FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
SI7956DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 双 | 3000 | MOSFET N-CH D-S 150V 8-SOIC | FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
SI7958DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 33000 | MOSFET DUAL N-CH 40V 8-SOIC | FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
SI7958DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 6000 | MOSFET DL N-CH 40V PPAK 8-SOIC | FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
SI7960DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 3000 | MOSFET DUAL N-CH 60V 8-SOIC | FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
SI7960DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 15655 | MOSFET DL N-CH 60V PPAK 8-SOIC | FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
SI7962DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET DUAL N-CH 40V 8-SOIC | FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss... | ||
SI7964DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 25188 | MOSFET DUAL N-CH 60V 8-SOIC | FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss... | |
SI7964DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 双 | MOSFET DUAL N-CH 60V PPAK 8SOIC | FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss... | ||
SI7980DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 双 | MOSFET 2N-CH 20V 8A PPAK 8SOIC | FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss... | ||
SI7980DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 8258 | MOSFET N-CH DL 20V PWRPAK 8-SOIC | FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss... | |
SI7983DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET DUAL P-CH 20V 8-SOIC | FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
SI7983DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 双 | MOSFET 2P-CH 20V 7.7A PPAK 8SOIC | FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | ||
SI7994DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 18000 | MOSFET N-CH DL 30V PWRPAK 8-SOIC | FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss... | |
SI7997DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 双 | 6000 | MOSFET P-CH 30V 8-SOIC | FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss... |