| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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SI7960DP-T1-GE3 |
Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 15655 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET DL N-CH 60V PPAK 8-SOIC 参考包装数量：1 参考包装形式：剪切带 (CT) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| SI7962DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET DUAL N-CH 40V 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... | |
| SI7964DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 25188 | MOSFET DUAL N-CH 60V 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... |
| SI7964DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 双 | MOSFET DUAL N-CH 60V PPAK 8SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：标准 漏极至源极电压(Vdss... | |
| SI7960DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 3000 | MOSFET DUAL N-CH 60V 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
| SI7958DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 6000 | MOSFET DL N-CH 40V PPAK 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
| SI7958DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 33000 | MOSFET DUAL N-CH 40V 8-SOIC | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
