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SI7949DP-T1-E3

Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 双 264
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简述:MOSFET 2P-CH 60V 3.2A 8SOIC
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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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SI7949DP-T1-E3参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 个 P 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3.2A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:64 毫欧 @ 5A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:40nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:-
功率 - 最大:1.5W
安装类型:表面贴装

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