收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > SI7956DP-T1-GE3
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

SI7956DP-T1-GE3

Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 双 3000
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH D-S 150V 8-SOIC
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

与SI7956DP-T1-GE3相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
SI7958DP-T1-E3 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 33000 MOSFET DUAL N-CH 40V 8-SOIC FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
SI7958DP-T1-GE3 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 6000 MOSFET DL N-CH 40V PPAK 8-SOIC FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
SI7960DP-T1-E3 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 3000 MOSFET DUAL N-CH 60V 8-SOIC FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
SI7956DP-T1-E3 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 双 MOSFET DUAL N-CH 150V 8-SOIC FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
SI7949DP-T1-GE3 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 双 6000 MOSFET P-CH D-S 60V 8-SOIC FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...
SI7949DP-T1-E3 Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 双 264 MOSFET 2P-CH 60V 3.2A 8SOIC FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V...

SI7956DP-T1-GE3参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):150V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:2.6A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:105 毫欧 @ 4.1A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:26nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:-
功率 - 最大:1.4W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别