型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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SI7997DP-T1-GE3 |
Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 双 | 6000 | 询价QQ: |
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简述:MOSFET P-CH 30V 8-SOIC 参考包装数量:3000 参考包装形式:带卷 (TR) |
型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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SI7998DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 双 | MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK 8SOIC | FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
SI8220BB-A-IS | Silicon Laboratories Inc | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | IC ISODRIVER 2.5A OPTO INP 8SOIC | 输入 - 1 侧/2 侧:1/0 通道数:1 电源电压:6.5 V ~ 24 V... | |
SI8220BB-A-ISR | Silicon Laboratories Inc | 8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) | IC ISODRIVER 2.5A OPTO INP 8SOIC | 输入 - 1 侧/2 侧:1/0 通道数:1 电源电压:6.5 V ~ 24 V... | |
SI7994DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 | 18000 | MOSFET N-CH DL 30V PWRPAK 8-SOIC | FET 型:2 个 N 沟道(双) FET 特点:标准 漏极至源极电压(Vdss... |
SI7983DP-T1-GE3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 双 | MOSFET 2P-CH 20V 7.7A PPAK 8SOIC | FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
SI7983DP-T1-E3 | Vishay Siliconix | PowerPAK? SO-8 | MOSFET DUAL P-CH 20V 8-SOIC | FET 型:2 个 P 沟道(双) FET 特点:逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |