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SI7997DP-T1-GE3

Vishay Siliconix PowerPAK? SO-8 双 6000
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简述:MOSFET P-CH 30V 8-SOIC
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

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SI7997DP-T1-GE3参数资料

PDF资料下载:

FET 型:2 个 P 沟道(双)
FET 特点:标准
漏极至源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:60A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:5.5 毫欧 @ 20A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):2.2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:160nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:6200pF @ 15V
功率 - 最大:46W
安装类型:表面贴装

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