型号 |
品牌 |
封装 |
数量 |
描述 |
参数 |
PDF资料 |
DMC4050SSD-13 |
Diodes Inc
|
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
7500 |
MOSFET N/P-CH 40V 4.2A SO8 |
FET 型:N 和 P 沟道
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss... |
|
DMG1016UDW-7 |
Diodes Inc
|
6-TSSOP,SC-88,SOT-363 |
69000 |
MOSFET N+P 20V 1.07A SOT363 |
FET 型:N 和 P 沟道
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss... |
|
DMG1016V-7 |
Diodes Inc
|
SOT-563,SOT-666 |
2581 |
MOSFET N+P 20V 870MA SOT563 |
FET 型:N 和 P 沟道
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss... |
|
DMG1023UV-7 |
Diodes Inc
|
SOT-563,SOT-666 |
3000 |
MOSFET P-CH DUAL 20V SOT563 |
FET 型:2 个 P 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(V... |
|
DMG1024UV-7 |
Diodes Inc
|
SOT-563,SOT-666 |
4281 |
MOSFET N-CH DUAL 20V SOT563 |
FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(V... |
|
DMG1026UV-7 |
Diodes Inc
|
SOT-563,SOT-666 |
21000 |
MOSFET DL N-CH 60V 410MA SOT-563 |
FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(V... |
|
DMG1029SV-7 |
Diodes Inc
|
SOT-563,SOT-666 |
12000 |
MOSFET N/P-CH 60V 480/320 SOT563 |
FET 型:N 和 P 沟道
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss... |
|
DMG4511SK4-13 |
Diodes Inc
|
TO-252-5,DPak(4 引线 + 接片),TO-252AD |
7500 |
MOSFET N/P-CH 35V TO252-4L |
FET 型:N 和 P 沟道
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss... |
|
DMG4800LSD-13 |
Diodes Inc
|
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
2500 |
MOSFET 2N-CH 30V 8.54A SO8 |
FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(V... |
|
DMG4822SSD-13 |
Diodes Inc
|
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
2500 |
MOSFET DL N-CH 30V 10A SO-8 |
FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(V... |
|
DMG4932LSD-13 |
Diodes Inc
|
8-SOIC(0.236",6.00mm 宽) |
3055 |
MOSFET 2N-CH 30V 9.5A SO8 |
FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(V... |
|
DMG5802LFX-7 |
Diodes Inc
|
6-VFDFN 裸露焊盘 |
|
MOSFET N-CH DUAL 24V DFN5020-6 |
FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(V... |
|
DMG6601LVT-7 |
Diodes Inc
|
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
|
MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT |
FET 型:N 和 P 沟道
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss... |
|
DMG6602SVT-7 |
Diodes Inc
|
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
9000 |
MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6 |
FET 型:N 和 P 沟道
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss... |
|
DMG6898LSD-13 |
Diodes Inc
|
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
14725 |
MOSFET 2N-CH 20V 9.5A SO8 |
FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(V... |
|
DMG6968UDM-7 |
Diodes Inc
|
SOT-23-6 |
6000 |
MOSFET N-CH 6.5A 20V SOT-26 |
FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(V... |
|
DMG8601UFG-7 |
Diodes Inc
|
8-UDFN 裸露焊盘 |
6000 |
MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN |
FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(V... |
|
DMG8822UTS-13 |
Diodes Inc
|
8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽) |
6288 |
MOSFET ARRAY 20V 4.9A 8TSSOP |
FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(V... |
|
DMG9926UDM-7 |
Diodes Inc
|
SOT-23-6 |
6000 |
MOSFET N-CH DUAL 20V 4.2A SOT-26 |
FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(V... |
|
DMG9926USD-13 |
Diodes Inc
|
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
|
MOSFET 2N-CH 20V 8A SOP8L |
FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(V... |
|