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DMG4932LSD-13

Diodes Inc 8-SOIC(0.236",6.00mm 宽) 3055
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简述:MOSFET 2N-CH 30V 9.5A SO8
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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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DMG4932LSD-13参数资料

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FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:9.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:15 毫欧 @ 9A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):2.4V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:42nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:1932pF @ 15V
功率 - 最大:1.19W
安装类型:表面贴装

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