| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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DMG1024UV-7 |
Diodes Inc | SOT-563，SOT-666 | 4281 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH DUAL 20V SOT563 参考包装数量：1 参考包装形式：剪切带 (CT) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| DMG1026UV-7 | Diodes Inc | SOT-563，SOT-666 | 21000 | MOSFET DL N-CH 60V 410MA SOT-563 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
| DMG1029SV-7 | Diodes Inc | SOT-563，SOT-666 | 12000 | MOSFET N/P-CH 60V 480/320 SOT563 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... |
| DMG201020R | Panasonic Electronic Components - Semiconductor Products | SC-74A，SOT-753 | TRANS NPN PNP 50V MINI5-G3-B | 晶体管类型：NPN + PNP（耦合发射器） 应用：一般放大 电压 - 额定：5... | |
| DMG1023UV-7 | Diodes Inc | SOT-563，SOT-666 | 3000 | MOSFET P-CH DUAL 20V SOT563 | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
| DMG1016V-7 | Diodes Inc | SOT-563，SOT-666 | 2581 | MOSFET N+P 20V 870MA SOT563 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... |
| DMG1016UDW-7 | Diodes Inc | 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 | 69000 | MOSFET N+P 20V 1.07A SOT363 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... |
