| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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DMG6898LSD-13 |
Diodes Inc | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 14725 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET 2N-CH 20V 9.5A SO8 参考包装数量：1 参考包装形式：剪切带 (CT) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| DMG6968U-7 | Diodes Inc | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 | 22590 | MOSFET N-CH 20V 6.5A SOT-23 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| DMG6968UDM-7 | Diodes Inc | SOT-23-6 | 6000 | MOSFET N-CH 6.5A 20V SOT-26 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
| DMG7401SFG-7 | Diodes Inc | 8-PowerWDFN | 4000 | MOSFET P CH 30V 9.8A POWERDI3333 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| DMG6602SVT-7 | Diodes Inc | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | 9000 | MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6 | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... |
| DMG6601LVT-7 | Diodes Inc | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 | MOSFET N/P-CH 30V 26TSOT | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... | |
| DMG6402LDM-7 | Diodes Inc | SOT-23-6 | MOSFET N-CH 30V 5.3A SOT26 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
