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DMG6602SVT-7

Diodes Inc SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 9000
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简述:MOSFET N/P-CH 30V TSOT23-6
参考包装数量:3000
参考包装形式:带卷 (TR)

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型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
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DMG6602SVT-7参数资料

PDF资料下载:

FET 型:N 和 P 沟道
FET 特点:逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss):30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:3.4A,2.8A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:60 毫欧 @ 3.1A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):3V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:13nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:400pF @ 15V
功率 - 最大:1.12W
安装类型:表面贴装

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