| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
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BSL316CL6327 |
Infineon Technologies | SC-74，SOT-457 | 3000 | 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N/P-CH 30V TSOP-6 参考包装数量：3000 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| BSL802SNL6327 | Infineon Technologies | SC-74，SOT-457 | 3000 | MOSFET N-CH 20V 7.5A TSOP6 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| BSL806NL6327 | Infineon Technologies | SC-74，SOT-457 | 3000 | MOSFET N-CH 20V 2.3A 6TSOP | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
| BSM | MPD (Memory Protection Devices) | 0+2000 | 9V MALE SNAP | ... | |
| BSL314PEL6327 | Infineon Technologies | SC-74，SOT-457 | MOSFET P-CH 30V 1.5A 6TSOP | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| BSL308PEL6327 | Infineon Technologies | SC-74，SOT-457 | 3000 | MOSFET P-CH 30V 2A 6TSOP | FET 型：2 个 P 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
| BSL308CL6327 | Infineon Technologies | SC-74，SOT-457 | MOSFET P/N-CH 30V 6TSOP | FET 型：N 和 P 沟道 FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(Vdss... |
