收藏本站

首页 > 分离式半导体产品 > FET - 阵列 > BSC750N10NDG
型号 品牌 封装 数量 在线询价 在线订购

BSC750N10NDG

Infineon Technologies 8-PowerVDFN 5000
询价QQ:
简述:MOSFET N-CH 100V 13A TDSON-8
参考包装数量:5000
参考包装形式:带卷 (TR)

与BSC750N10NDG相近的型号

型号 品牌 封装 数量 描述 部分参数
BSC882N03MSG Infineon Technologies 8-PowerTDFN 10000 MOSFET N-CH 30V 100A TDSON-8 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
BSC883N03LSG Infineon Technologies 8-PowerTDFN 10000 MOSFET N-CH 30V 98A TDSON-8 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
BSC883N03MSG Infineon Technologies 8-PowerTDFN 10000 MOSFET N-CH 30V 98A TDSON-8 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
BSC600N25NS3G Infineon Technologies 8-PowerTDFN 5000 MOSFET N-CH 250V 25A TDSON-8 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:逻辑电平门 漏源...
BSC520N15NS3G Infineon Technologies 8-PowerTDFN 35000 MOSFET N-CH 150V 21A TDSON-8 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...
BSC440N10NS3G Infineon Technologies 8-PowerTDFN MOSFET N-CH 100V 18A TDSON-8 FET 类型:MOSFET N 通道,金属氧化物 FET 功能:标准 漏源极电压...

BSC750N10NDG参数资料

PDF资料下载:
PDF资料下载:

FET 型:2 个 N 沟道(双)
FET 特点:标准
漏极至源极电压(Vdss):100V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:13A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:75 毫欧 @ 13A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 12µA
闸电荷(Qg) @ Vgs:11nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds:720pF @ 50V
功率 - 最大:26W
安装类型:表面贴装

最近更新

型号类别