| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
|---|---|---|---|---|---|
BSC150N03LDG |
Infineon Technologies | 8-PowerVDFN | 10000 | 闂傚倸鍊搁崐鐑芥倿閿曗偓椤啴宕归鍛數闂侀€炲苯澧扮紒杈ㄥ浮楠炴捇骞掑┑鍫濇倯闂備浇顕栭崹顖炴倿閿斿墽鐭夐柟鐑樻煛閸嬫捇鏁愭惔鈥茬凹濠电偛鎳忛悧鐘差潖閾忚宕夐柕濞垮劜閻濄垽姊洪悷鏉挎闁瑰嚖鎷�0755-83217923 询价QQ： |
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| 简述：MOSFET N-CH 30V 20A TDSON-8 参考包装数量：5000 参考包装形式：带卷 (TR) |
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| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
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| BSC152N10NSFG | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... | |
| BSC159N10LSFG | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 5000 | MOSFET N-CH 100V 63A TDSON-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| BSC160N10NS3G | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 5000 | MOSFET N-CH 100V 42A TDSON-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| BSC130P03LSG | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 5000 | MOSFET P-CH 30V 22.5A TDSON-8 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| BSC12DN20NS3G | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | 10000 | MOSFET N-CH 200V 11.3A 8TDSON | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：标准 漏源极电压... |
| BSC123N10LSG | Infineon Technologies | 8-PowerTDFN | MOSFET N-CH 100V 71A TDSON-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
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