| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 在线询价 | 在线订购 |
|---|---|---|---|---|---|
BSO150N03 |
Infineon Technologies | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 18872 | 询价QQ： |
|
| 简述：MOSFET N-CHAN 30V 7.6A DSO-8 参考包装数量：1 参考包装形式：剪切带 (CT) |
|||||
| 型号 | 品牌 | 封装 | 数量 | 描述 | 部分参数 |
|---|---|---|---|---|---|
| BSO150N03MDG | Infineon Technologies | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 2500 | MOSFET 2N-CH 30V 8A DSO8 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... |
| BSO200N03 | Infineon Technologies | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N-CHAN 30V 6.6A DSO-8 | FET 型：2 个 N 沟道（双） FET 特点：逻辑电平门 漏极至源极电压(V... | |
| BSO200N03S | Infineon Technologies | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N-CH 30V 7A DSO-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| BSO130P03SH | Infineon Technologies | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | 2500 | MOSFET P-CH 30V 9.2A DSO-8 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
| BSO130P03S | Infineon Technologies | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET P-CH 30V 9.2A DSO-8 | FET 类型：MOSFET P 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... | |
| BSO130N03MSG | Infineon Technologies | 8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） | MOSFET N-CH 30V 9A DSO-8 | FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物 FET 功能：逻辑电平门 漏源... |
